AS0130KA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS0130KA
Código: S0130KA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 61.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS0130KA
AS0130KA Datasheet (PDF)
as0130ka.pdf
AS0130KA N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 100V 32m@10V 30A Feature Application High density cell design for ultra low Rdson Power switching application Fully characterized avalanche voltage and current Hard switched and high frequency circuits Good stability and uniformity with high EAS Uninterruptible power supply Excellent
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History: AP9928GEO | FSL130D | AO4427 | NTP190N65S3HF
History: AP9928GEO | FSL130D | AO4427 | NTP190N65S3HF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918