BM3407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BM3407A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BM3407A

BM3407A Datasheet (PDF)

..1. Size:1870K born
bm3407a.pdf

BM3407AMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max Unit-30Drain-Source Voltage BV VDSSGate- Source VoltageV VGS +20Drain Current (continuous)I -4.1 ADDrain Current (pulsed) I ADM-16Total Device Di

9.1. Size:1779K born
bm3402.pdf

BM3402MOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFETSOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=10V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for28m @10V portable devices

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: