BM3407A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BM3407A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: SOT23
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BM3407A datasheet
bm3407a.pdf
BM3407A MOSFET ROHS P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance MAXIMUM RANTINGS Characteristic Symbol Max Unit -30 Drain-Source Voltage BV V DSS Gate- Source Voltage V V GS +20 Drain Current (continuous) I -4.1 A D Drain Current (pulsed) I A DM -16 Total Device Di
bm3402.pdf
BM3402 MOSFET ROHS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Low RDS(on) @VGS=10V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package Pb-Free, RoHS Compliant Applications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portables V R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for 28m @10V portable devices
Otros transistores... AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , 50N06 , BM3415E , BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 .
History: SWD6N80DE | SWD2N60DC
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