BM3407A Todos los transistores

 

BM3407A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BM3407A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BM3407A Datasheet (PDF)

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BM3407A

BM3407AMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-FeaturesAdvanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceMAXIMUM RANTINGSCharacteristic Symbol Max Unit-30Drain-Source Voltage BV VDSSGate- Source VoltageV VGS +20Drain Current (continuous)I -4.1 ADDrain Current (pulsed) I ADM-16Total Device Di

 9.1. Size:1779K  born
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BM3407A

BM3402MOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFETSOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=10V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for28m @10V portable devices

Otros transistores... AS2301 , AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , 50N06 , BM3415E , BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 .

History: R5016FNX | NTMFS4C022N | SL3415 | NCEP40T13AGU | RJK03M5DPA | CJ3404 | MEE4294-G

 

 
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