BM3415E Todos los transistores

 

BM3415E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BM3415E
   Código: 3415E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

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BM3415E Datasheet (PDF)

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BM3415EMOSFET ROHSP-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplicationsV R Typ I Max(BR)DSS DS(ON) D Load Switch37m @-4.5V Switching circuits-20V -4.8A High-speed line driver43m @ -3.3V Power Manage

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BM3415E BM3415E

BM3416EMOSFET ROHSN-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23-Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS CompliantApplications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portablesV R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for

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