BM3415E Todos los transistores

 

BM3415E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BM3415E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT23

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BM3415E datasheet

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BM3415E

BM3415E MOSFET ROHS P-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Low RDS(on) @VGS=-4.5V -3.3V Logic Level Control P Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS Compliant Applications V R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Load Switch 37m @-4.5V Switching circuits -20V -4.8A High-speed line driver 43m @ -3.3V Power Manage

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BM3415E

BM3416E MOSFET ROHS N-Channel Enhancement-Mode MOSFET SOT-23 - Features Low RDS(on) @VGS=4.5V 3.3V Logic Level Control N Channel SOT23 Package HMB ESD Protection 2KV Pb-Free, RoHS Compliant Applications DC-to-DC converters Power management in battery-driven portables V R Typ I Max (BR)DSS DS(ON) D Low-side load switch and charging switch for

Otros transistores... AS2302 , AS2303 , AS2304 , AS2305 , AS2307 , BM2300 , BM3402 , BM3407A , IRFP460 , BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , ASDM20N12ZB .

History: 2SK125 | RU13N65R | BS108ZL1G | AP02N60J-H | SSP50R240S | STW55NM60ND | BRI65R380C

 

 

 

 

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