ASDM20N12ZB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ASDM20N12ZB
   Código: 20N12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.95 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASDM20N12ZB

ASDM20N12ZB Datasheet (PDF)

..1. Size:491K ascend
asdm20n12zb.pdf

ASDM20N12ZB20V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures 20V/12AV DS 20 V Super High Dense Cell DesignR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and RuggedI D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top viewDGSSOT-23-3Absolute Maximum Ratings (TA=25C Unless O

8.1. Size:368K ascend
asdm20p09zb.pdf

ASDM20P09ZB-20V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R

9.1. Size:830K ascend
asdm2301za.pdf

ASDM2301ZA20V P-CHANNEL MOSFET FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired(Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package-20V65m 83m -3AApplication PWM applicationsLoad switchPower managementtop viewDGSOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25unless other

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: