Справочник MOSFET. ASDM20N12ZB

 

ASDM20N12ZB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM20N12ZB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ASDM20N12ZB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM20N12ZB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  ascend
 asdm20n12zb.pdf pdf_icon

ASDM20N12ZB

ASDM20N12ZB20V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures 20V/12AV DS 20 V Super High Dense Cell DesignR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and RuggedI D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top viewDGSSOT-23-3Absolute Maximum Ratings (TA=25C Unless O

 8.1. Size:368K  ascend
 asdm20p09zb.pdf pdf_icon

ASDM20N12ZB

ASDM20P09ZB-20V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R

 9.1. Size:830K  ascend
 asdm2301za.pdf pdf_icon

ASDM20N12ZB

ASDM2301ZA20V P-CHANNEL MOSFET FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired(Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package-20V65m 83m -3AApplication PWM applicationsLoad switchPower managementtop viewDGSOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25unless other

Другие MOSFET... BM3415E , BM3416E , BML6401 , BML6402 , SI2301-P , SI2301S , SI2302S , SI2333 , IRF3710 , ASDM20P09ZB , ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E .

History: IPP50R140CP | AM1421P

 

 
Back to Top

 


 
.