ASDM2301ZA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASDM2301ZA
Código: A1SHB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 3.3 nC
Tiempo de subida (tr): 35 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASDM2301ZA
ASDM2301ZA Datasheet (PDF)
asdm2301za.pdf
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ASDM2301ZA20V P-CHANNEL MOSFET FeaturesProduct Summary High Power and current handing capabilityVDSS RDS(ON) RDS(ON) ID Lead free product is acquired(Typ) (Typ) @-4.5V @-2.5V Surface Mount Package-20V65m 83m -3AApplication PWM applicationsLoad switchPower managementtop viewDGSOT-23 Absolute Maximum Ratings (TA=25unless other
asdm20p09zb.pdf
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ASDM20P09ZB-20V P-Channel MOSFETProduct SummaryGeneral Features R
asdm20n12zb.pdf
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ASDM20N12ZB20V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeatures 20V/12AV DS 20 V Super High Dense Cell DesignR DS(on),Typ@ VGS=4.5 V 11.5 m Reliable and RuggedI D 12 A Lead Free Available (RoHS Compliant)Applications Portable Equipment and Battery Powered Systems. DC-DC converter Load Switch Top viewDGSSOT-23-3Absolute Maximum Ratings (TA=25C Unless O
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