ASDM30N90KQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ASDM30N90KQ
   Código: 30N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 40 nC
   Tiempo de subida (tr): 32 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 307 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ASDM30N90KQ

ASDM30N90KQ Datasheet (PDF)

..1. Size:303K ascend
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ASDM30N90KQ30V N-Channel MOSFETGeneral Features Product Summary Low Gate Charge Advanced Trench TechnologyVDS 30 V Provide Excellent RDS(ON)RDS(on),Typ.@ VGS=10 V 3.6 m High Power and Current Handling Capability90ID A Application Load Swtich PWM applications Power management1TO-252N-channelAbsolute Maximum Ratings (TA =25C unless o

7.1. Size:315K 1
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ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

7.2. Size:348K 1
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ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

7.3. Size:315K ascend
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