Справочник MOSFET. ASDM30N90KQ

 

ASDM30N90KQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM30N90KQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ASDM30N90KQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30N90KQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  ascend
 asdm30n90kq.pdf pdf_icon

ASDM30N90KQ

ASDM30N90KQ30V N-Channel MOSFETGeneral Features Product Summary Low Gate Charge Advanced Trench TechnologyVDS 30 V Provide Excellent RDS(ON)RDS(on),Typ.@ VGS=10 V 3.6 m High Power and Current Handling Capability90ID A Application Load Swtich PWM applications Power management1TO-252N-channelAbsolute Maximum Ratings (TA =25C unless o

 7.1. Size:315K  1
 asdm30n65e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N90KQ

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

 7.2. Size:348K  1
 asdm30n55e-r.pdf pdf_icon

ASDM30N90KQ

ASDM30N55E30V N-CHANNEL MOSFETFeatureProduct Summary100% EAS GuaranteedVDS 30 VGreen Device AvailableSuper Low Gate ChargeRDS(on),typ VGS=10V 4.8 mExcellent CdV/dt effect declineA55IDAdvanced high cell density Trench technologyApplication Power Management in Inverter Systemtop viewDFN3.3*3.3-8Maximum ratings, at T A=25 C, unless othe

 7.3. Size:315K  ascend
 asdm30n65e.pdf pdf_icon

ASDM30N90KQ

ASDM30N65E30V N-CHANNEL MOSFETProduct SummaryFeaturel Low Gate Charge VDS 30 Vl Green Device Available4.5 mRDS(on),typ VGS=10Vl Super Low Gate ChargeA65IDl Excellent CdV/dt effect declinel Advanced high cell density Trench technologyApplicationsl Power Management in Desktop Computer or DC/DCConverters.l Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ASDM2301ZA , ASDM3010 , ASDM3010S , ASDM3020 , ASDM3050 , ASDM3080KQ , ASDM30N55E , ASDM30N65E , AON7408 , ASDM30P09ZB , ASDM30P11TD , ASDM30P30CTD , ASDM3400 , ASDM3400ZB , ASDM3401ZB , ASDM3404ZA , ASDM40N52 .

History: HM100N03K | WMO03N80M3 | VN0606L | UPA2708GR | TJ200F04M3L | NCE30H29D | NP60N04NUK

 

 
Back to Top

 


 
.