CRST045N10N Todos los transistores

 

CRST045N10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRST045N10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 952 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CRST045N10N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CRST045N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 8.1. Size:584K  crhj
 crst041n08n crss038n08n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST041N08N, CRSS038N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 3.4m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.4m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

 8.2. Size:588K  crhj
 crst049n08n crss046n08n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST049N08N, CRSS046N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.1m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100%

 8.3. Size:567K  crhj
 crst040n10n crss037n10n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST040N10N, CRSS037N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)3.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , AO4407 , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N .

History: WST2300A | RDN150N20

 

 
Back to Top

 


 
.