CRST045N10N - описание и поиск аналогов

 

CRST045N10N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRST045N10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 952 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CRST045N10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST045N10N даташит

 ..1. Size:568K  crhj
 crst045n10n crss042n10n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST045N10N, CRSS042N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 8.1. Size:584K  crhj
 crst041n08n crss038n08n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST041N08N, CRSS038N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 3.4m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.4m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

 8.2. Size:588K  crhj
 crst049n08n crss046n08n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST049N08N, CRSS046N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.1m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100%

 8.3. Size:567K  crhj
 crst040n10n crss037n10n.pdf pdf_icon

CRST045N10N

CRST040N10N, CRSS037N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 3.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRJD390N65GC , CRSD082N10L2 , CRSE120N10L2 , CRSM053N08N , CRST040N10N , CRSS037N10N , CRST041N08N , CRSS038N08N , IRF530 , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , CRST060N10N , CRSS057N10N , CRST065N08N .

History: ME60N03AS-G | SUM110N06-3M4L | SUM110P04-04L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.