CRST060N10N Todos los transistores

 

CRST060N10N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRST060N10N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 611 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220

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CRST060N10N datasheet

 ..1. Size:564K  crhj
 crst060n10n crss057n10n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST060N10N, CRSS057N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 8.1. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST065N08N, CRSS063N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ 3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested

 9.2. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 1

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History: APT10045B2LL

 

 

 

 

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