Справочник MOSFET. CRST060N10N

 

CRST060N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRST060N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 611 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CRST060N10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRST060N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  crhj
 crst060n10n crss057n10n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST060N10N, CRSS057N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 5.3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 8.1. Size:598K  crhj
 crst065n08n crss063n08n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST065N08N, CRSS063N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 5.6m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)5.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

 9.1. Size:535K  1
 crst037n10n crss035n10n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST037N10N,CRSS035N10N() SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested

 9.2. Size:606K  crhj
 crst055n08n crss052n08n.pdf pdf_icon

CRST060N10N

CRST055N08N, CRSS052N08N() SkyMOS1 N-MOSFET 85V, 4.6m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)4.6m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRST041N08N , CRSS038N08N , CRST045N10N , CRSS042N10N , CRST049N08N , CRSS046N08N , CRST055N08N , CRSS052N08N , IRFZ24N , CRSS057N10N , CRST065N08N , CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L .

History: SSP65R650S2 | HSBG2103 | KIA24N50H | MTB340N11N6 | SFP086N80CC2 | STB21NM60N-1 | SMN04L20IS

 

 
Back to Top

 


 
.