CRTD084NE6N Todos los transistores

 

CRTD084NE6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRTD084NE6N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 307 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CRTD084NE6N Datasheet (PDF)

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CRTD084NE6N

CRTD084NE6N() Trench N-MOSFET 65V, 7.1m, 85AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID85A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

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CRTD084NE6N

CRTD055N03L() Trench N-MOSFET 30V, 4.3m, 58AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID58A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

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CRTD084NE6N

CRTD030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.5m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

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CRTD084NE6N

CRTD030N03L() Trench N-MOSFET 30V, 2.3m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

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History: SI12N60

 

 
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