CRTD084NE6N - описание и поиск аналогов

 

CRTD084NE6N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTD084NE6N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CRTD084NE6N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD084NE6N даташит

 ..1. Size:647K  crhj
crtd084ne6n.pdfpdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 65V, 7.1m , 85A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 85A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.1. Size:538K  crhj
crtd055n03l.pdfpdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD055N03L ( ) Trench N-MOSFET 30V, 4.3m , 58A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 58A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.2. Size:560K  crhj
crtd030n04l.pdfpdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD030N04L ( ) Trench N-MOSFET 40V, 2.5m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.3. Size:563K  crhj
crtd030n03l.pdfpdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD030N03L ( ) Trench N-MOSFET 30V, 2.3m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

Другие MOSFET... CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , AO3407 , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.