CRTD084NE6N - аналоги и даташиты транзистора

 

CRTD084NE6N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRTD084NE6N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CRTD084NE6N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTD084NE6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:647K  crhj
 crtd084ne6n.pdf pdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD084NE6N() Trench N-MOSFET 65V, 7.1m, 85AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 65V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID85A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.1. Size:538K  crhj
 crtd055n03l.pdf pdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD055N03L() Trench N-MOSFET 30V, 4.3m, 58AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID58A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.2. Size:560K  crhj
 crtd030n04l.pdf pdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD030N04L() Trench N-MOSFET 40V, 2.5m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 40V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.5m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

 9.3. Size:563K  crhj
 crtd030n03l.pdf pdf_icon

CRTD084NE6N

CRTD030N03L() Trench N-MOSFET 30V, 2.3m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench MOS technology 30V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Aval

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CRSS063N08N , CRST085N15N , CRSS082N15N , CRTD030N03L , CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , 7N60 , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , CRTM025N03L , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N .

History: ME80N75F | IRLH5034 | APT8052BFLL | VS3628GE | 2SJ596 | QM3016S | UPA1872BGR

 

 
Back to Top

 


 
.