CRTM025N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRTM025N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 704 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CRTM025N03L
CRTM025N03L Datasheet (PDF)
crtm025n03l.pdf
CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit
crtm025n03l.pdf
CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit
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Liste
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