CRTM025N03L Todos los transistores

 

CRTM025N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRTM025N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 704 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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CRTM025N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  1
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CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

 ..2. Size:407K  crhj
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CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

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History: RJK5014DPP-E0 | STP7NM60N | IRFB4110GPBF | NCEP0260 | IRFI4229PBF

 

 
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