CRTM025N03L - аналоги и даташиты транзистора

 

CRTM025N03L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CRTM025N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 704 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для CRTM025N03L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTM025N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  1
 crtm025n03l.pdf pdf_icon

CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

 ..2. Size:407K  crhj
 crtm025n03l.pdf pdf_icon

CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

Другие MOSFET... CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , IRFB31N20D , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N .

History: HM3305D | RU6Z5R | SM3113NSU | 2SK1610 | NP32N055IHE | STF4NK50ZD | IRFB4310G

 

 
Back to Top

 


 
.