CRTM025N03L - описание и поиск аналогов

 

CRTM025N03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CRTM025N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 704 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для CRTM025N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTM025N03L даташит

 ..1. Size:407K  1
 crtm025n03l.pdf pdf_icon

CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Param Maximum Unit

 ..2. Size:407K  crhj
 crtm025n03l.pdf pdf_icon

CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25 C unless otherwise noted) Symbol Param Maximum Unit

Другие MOSFET... CRTD030N04L , CRTD045N03L , CRTD055N03L , CRTD063N04L , CRTD084NE6N , CRTD105N06L , CRTD110N03L , CRTE120N06L , IRF2807 , CRTS030N04L , CRTS095N12N , CRTT029N06N , CRTT056N06N , CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N .

History: BSP296 | AGMH70N70C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.