Справочник MOSFET. CRTM025N03L

 

CRTM025N03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CRTM025N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   trⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 704 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для CRTM025N03L

 

 

CRTM025N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  1
 crtm025n03l.pdf

CRTM025N03L CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

 ..2. Size:407K  crhj
 crtm025n03l.pdf

CRTM025N03L CRTM025N03L

CRTM025N03L VDSS 30V Features RDS(on) Vgs=10V typ. 2.0m Lead free and Green Device Available max. 2.5m Low Rds-on to Minimize Conductive Loss RDS(on) Vgs=4.5V typ. 2.6m High avalanche Current max. 3.3m ID @ Vgs=10V (Silicon limited) 98A Application Load Switch SPMS Absolute Maximum Ratings (TA=25C unless otherwise noted)Symbol Param Maximum Unit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ME7640 | SIR662DP

 

 
Back to Top