CRTT084NE6N Todos los transistores

 

CRTT084NE6N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRTT084NE6N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 292 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CRTT084NE6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  crhj
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CRTT084NE6N

CRTT084NE6N() Trench N-MOSFET 68V, 7.1m, 81AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID81A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalanch

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CRTT084NE6N

CRTT029N06N() Trench N-MOSFET 60V, 2.3m, 160AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID160A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications100% Avalan

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CRTT084NE6N

CRTT056N06N() Trench N-MOSFET 60V, 4.2m, 110AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID110A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor c

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History: AP4416GH | IXTQ86N25T

 

 
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