CRTT084NE6N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CRTT084NE6N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 81 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 292 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Encapsulados: TO220
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CRTT084NE6N datasheet
crtt084ne6n.pdf
CRTT084NE6N ( ) Trench N-MOSFET 68V, 7.1m , 81A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 68V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 81A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanch
crtt029n06n.pdf
CRTT029N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 2.3m , 160A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalan
crtt056n06n.pdf
CRTT056N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 4.2m , 110A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor c
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History: IPD110N12N3 | LSGH04R029 | HM4606C
History: IPD110N12N3 | LSGH04R029 | HM4606C
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