SKTT077N07N Todos los transistores

 

SKTT077N07N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKTT077N07N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 135 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
   Carga de la puerta (Qg): 101 nC
   Tiempo de subida (tr): 106 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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SKTT077N07N Datasheet (PDF)

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SKTT077N07N
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SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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