SKTT077N07N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKTT077N07N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de SKTT077N07N MOSFET
SKTT077N07N Datasheet (PDF)
sktt077n07n.pdf

SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con
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History: STP160N4LF6 | 2SK2436 | MS12N60 | SST112 | SSG4910N | NCEP01T13A | NCE0106R
History: STP160N4LF6 | 2SK2436 | MS12N60 | SST112 | SSG4910N | NCEP01T13A | NCE0106R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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