SKTT077N07N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKTT077N07N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 135 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 70 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.6 V
Carga de la puerta (Qg): 101 nC
Tiempo de subida (tr): 106 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0077 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SKTT077N07N
SKTT077N07N Datasheet (PDF)
sktt077n07n.pdf
SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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