SKTT077N07N Todos los transistores

 

SKTT077N07N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKTT077N07N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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SKTT077N07N Datasheet (PDF)

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SKTT077N07N

SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

Otros transistores... CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , STP65NF06 , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 .

History: APT8024B2VR | 2SK4006-01SJ | APT12060LVFRG | AP9972AGP | IPB041N04NG | SISA10DN

 

 
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