SKTT077N07N - описание и поиск аналогов

 

SKTT077N07N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SKTT077N07N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SKTT077N07N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKTT077N07N даташит

 ..1. Size:519K  crhj
 sktt077n07n.pdf pdf_icon

SKTT077N07N

SKTT077N07N ( ) Trench N-MOSFET 70V, 6.1m , 80A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor con

Другие MOSFET... CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , IRFZ46N , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 .

History: HM2301BKR | FQA10N80CF109

 

 

 

 

↑ Back to Top
.