Справочник MOSFET. SKTT077N07N

 

SKTT077N07N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SKTT077N07N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SKTT077N07N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKTT077N07N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  crhj
 sktt077n07n.pdf pdf_icon

SKTT077N07N

SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con

Другие MOSFET... CRTT084NE6N , CS3N150AHR , SKD502T , SKSS055N08N , SKD503T , SKSS042N10N , SKST065N08N , SKSS063N08N , STP65NF06 , AS2308 , AS2309 , AS2310 , AS2312 , AS2318 , AS2324 , AS2328 , AS2333 .

History: HRLF125N06K | HSP3018B

 

 
Back to Top

 


 
.