SKTT077N07N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SKTT077N07N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 101 nC
Время нарастания (tr): 106 ns
Выходная емкость (Cd): 360 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0077 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SKTT077N07N
SKTT077N07N Datasheet (PDF)
..1. Size:519K crhj
sktt077n07n.pdf
sktt077n07n.pdf
SKTT077N07N() Trench N-MOSFET 70V, 6.1m, 80AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 70V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 6.1m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID80A Qualified according to JEDEC criteria100% DVDS Tested100% DVDS Tested100% DVDS TestedApplications Motor con
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
