AS3415E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS3415E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 219 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de AS3415E MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AS3415E datasheet
as3415e.pdf
AS3415E P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 36m @-4.5V -20V 49m @-2.5V -5.6A 69m @-1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) Package Circuit diagram SOT-23
as3416e.pdf
N-Channel MOSFET(ESD) AS3416E SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING AF Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source Voltage BV 20 V DSS -
Otros transistores... AS2341 , AS3019E , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , IRF3205 , AS3416E , AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 .
History: IXFH30N60Q | IPA60R450E6
History: IXFH30N60Q | IPA60R450E6
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet