AS3416E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS3416E
Código: AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AS3416E
AS3416E Datasheet (PDF)
as3416e.pdf
N-Channel MOSFET(ESD)AS3416ESOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: AF Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 20 VDSS-
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AS3415E P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D36m@-4.5V -20V 49m@-2.5V -5.6A 69m@-1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) Package Circuit diagram SOT-23
as3418.pdf
AS341 8 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: B 1 8 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 30 VDSS-
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