AS3416E Todos los transistores

 

AS3416E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AS3416E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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AS3416E datasheet

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AS3416E

N-Channel MOSFET(ESD) AS3416E SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS SOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING AF Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source Voltage BV 20 V DSS -

 9.1. Size:352K  anbon
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AS3416E

AS3415E P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 36m @-4.5V -20V 49m @-2.5V -5.6A 69m @-1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) Package Circuit diagram SOT-23

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AS3416E

Otros transistores... AS3019E , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , IRF740 , AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 .

History: 2SJ209 | BUK7E2R6-60E | PSMN2R5-60PL | PSMN2R4-30YLD

 

 

 

 

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