AS3416E Todos los transistores

 

AS3416E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AS3416E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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AS3416E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2002K  anbon
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AS3416E

N-Channel MOSFET(ESD)AS3416ESOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: AF Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 20 VDSS-

 9.1. Size:352K  anbon
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AS3416E

AS3415E P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D36m@-4.5V -20V 49m@-2.5V -5.6A 69m@-1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) Package Circuit diagram SOT-23

 9.2. Size:1935K  anbon
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AS3416E

AS341 8 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: B 1 8 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 30 VDSS-

Otros transistores... AS3019E , AS3100 , AS3400 , AS3403 , AS3404 , AS3407 , AS3409 , AS3415E , IRF740 , AS3418 , AS3422 , AS3423 , AS3434E , AS3442 , AS3523 , AS3621 , AS4375 .

History: FDD9509L-F085 | SFW9530 | SWB072R06ET | JCS7N60FB | SWI70N10V | IRFS252 | WMB175N10HG4

 

 
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