AG4N60S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AG4N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO-263AB
Búsqueda de reemplazo de AG4N60S MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AG4N60S datasheet
Otros transistores... AF2N60S, AK2N60S, AG2N60S, AU4N60S, AD4N60S, AT4N60S, AF4N60S, AK4N60S, SKD502T, AU4N65S, AD4N65S, AT4N65S, AF4N65S, AK4N65S, AG4N65S, AU5N60S, AD5N60S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor