AG4N65S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AG4N65S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 106 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 100 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .