SSF22N50A Todos los transistores

 

SSF22N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF22N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 182 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 

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SSF22N50A Datasheet (PDF)

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SSF22N50A

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SSF22N50A

SSF22A5E 20V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics: VDSS 20V RDS(on) 3 ID 238mA Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits: Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Lead free product 150 operating temperature Description: It utilizes the latest trench processing techniques to a

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