SSF22N50A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSF22N50A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSF22N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF22N50A даташит

 ..1. Size:214K  1
 ssf22n50a.pdf pdf_icon

SSF22N50A

 9.1. Size:935K  goodark
 ssf22a5e.pdf pdf_icon

SSF22N50A

SSF22A5E 20V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics VDSS 20V RDS(on) 3 ID 238mA Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Lead free product 150 operating temperature Description It utilizes the latest trench processing techniques to a

Другие IGBT... SML80J44, SML80L27, SML80S13, SML80T27, SSF10N60A, SSF10N80A, SSF10N90A, SSF17N60A, IRF830, SSF25N40A, SSF45N20A, SSF4N80AS, SSF4N90AS, SSF5N80A, SSF5N90A, SSF6N70A, SSF6N80A