Справочник MOSFET. SSF22N50A

 

SSF22N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF22N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 182 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для SSF22N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF22N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  1
 ssf22n50a.pdf pdf_icon

SSF22N50A

 9.1. Size:935K  goodark
 ssf22a5e.pdf pdf_icon

SSF22N50A

SSF22A5E 20V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics: VDSS 20V RDS(on) 3 ID 238mA Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits: Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Lead free product 150 operating temperature Description: It utilizes the latest trench processing techniques to a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FMV23N50E | SVSP7N70SD2TR

 

 
Back to Top

 


 
.