Справочник MOSFET. SSF22N50A

 

SSF22N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSF22N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 182 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SSF22N50A

 

 

SSF22N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  1
 ssf22n50a.pdf

SSF22N50A SSF22N50A

 9.1. Size:935K  goodark
 ssf22a5e.pdf

SSF22N50A SSF22N50A

SSF22A5E 20V N-Channel MOSFET Main Product Characteristics: VDSS 20V RDS(on) 3 ID 238mA Pin Assignment Schematic Diagram Features and Benefits: Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 x 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate Lead free product 150 operating temperature Description: It utilizes the latest trench processing techniques to a

Другие MOSFET... SML80J44 , SML80L27 , SML80S13 , SML80T27 , SSF10N60A , SSF10N80A , SSF10N90A , SSF17N60A , 60N06 , SSF25N40A , SSF45N20A , SSF4N80AS , SSF4N90AS , SSF5N80A , SSF5N90A , SSF6N70A , SSF6N80A .

 

 
Back to Top