AF8N60S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AF8N60S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de AF8N60S MOSFET
AF8N60S Datasheet (PDF)
Otros transistores... AD7N60S , AT7N60S , AF7N60S , AK7N60S , AG7N60S , AU8N60S , AD8N60S , AT8N60S , CS150N03A8 , AK8N60S , AG8N60S , 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS , 12N60B , 12N60H .
History: RFP2N10L | SRADM1002 | CED02N6A | AM7302N | FDS4465-NL-9 | PHM15NQ20T | SVGP20110NT
History: RFP2N10L | SRADM1002 | CED02N6A | AM7302N | FDS4465-NL-9 | PHM15NQ20T | SVGP20110NT



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