12N65B Todos los transistores

 

12N65B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 12N65B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO263

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12N65B datasheet

 ..1. Size:818K  chongqing pingwei
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 0.1. Size:1489K  jilin sino
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12N65B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 0.2. Size:1410K  jilin sino
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf pdf_icon

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N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 0.3. Size:1239K  blue-rocket-elect
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12N65B

BRCS12N65BD Rev.A Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

Otros transistores... 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS , 12N60B , 12N60H , 12N65 , 12N65F , IRF1405 , 12N65H , 12N65TF , 13N50MF , 150N06Y , 16N65MF , 18N50MF , 20N65NF , 25N06G .

 

 

 

 

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