12N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 12N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 12N65B

12N65B Datasheet (PDF)

..1. Size:818K chongqing pingwei
12n65 12n65f 12n65b 12n65h.pdf

0.1. Size:1489K jilin sino
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf

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0.2. Size:1410K jilin sino
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0.3. Size:1239K blue-rocket-elect
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History: MSD4N40

Liste

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