12N65B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 12N65B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 12N65B
12N65B Datasheet (PDF)
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge
brcs12n65bd.pdf

BRCS12N65BD Rev.A Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow
Другие MOSFET... 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS , 12N60B , 12N60H , 12N65 , 12N65F , IRF9640 , 12N65H , 12N65TF , 13N50MF , 150N06Y , 16N65MF , 18N50MF , 20N65NF , 25N06G .
History: BRD50N03
History: BRD50N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet