Справочник MOSFET. 12N65B

 

12N65B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 12N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для 12N65B

 

 

12N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  chongqing pingwei
 12n65 12n65f 12n65b 12n65h.pdf

12N65B 12N65B

 0.1. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf

12N65B 12N65B

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 0.2. Size:1410K  jilin sino
 jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdf

12N65B 12N65B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 0.3. Size:1239K  blue-rocket-elect
 brcs12n65bd.pdf

12N65B 12N65B

BRCS12N65BD Rev.A Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

 0.4. Size:335K  ubiq
 qm12n65b.pdf

12N65B 12N65B

QM12N65B 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM12N65B is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 0.8 12Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM12N65B m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top