Справочник MOSFET. 12N65B

 

12N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 12N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 12N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  chongqing pingwei
12n65 12n65f 12n65b 12n65h.pdfpdf_icon

12N65B

 0.1. Size:1489K  jilin sino
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdfpdf_icon

12N65B

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 0.2. Size:1410K  jilin sino
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdfpdf_icon

12N65B

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 0.3. Size:1239K  blue-rocket-elect
brcs12n65bd.pdfpdf_icon

12N65B

BRCS12N65BD Rev.A Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, Low Crss , Fast switching. / Applications UPS High efficiency switch mode pow

Другие MOSFET... 100N10NF , 10N50TF , 11N65GS , 11N65TFS , 12N60B , 12N60H , 12N65 , 12N65F , NCEP15T14 , 12N65H , 12N65TF , 13N50MF , 150N06Y , 16N65MF , 18N50MF , 20N65NF , 25N06G .

History: IXFX30N110P | SI3420 | SM7A25NSU | 2SK2715 | 2SK3649-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.