5N70GS Todos los transistores

 

5N70GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 5N70GS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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5N70GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  chongqing pingwei
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5N70GS

5N70GS5 Amps,700 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFETFEATURETO-252 5A,700V,R =1.2@V =10V/2.5ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol UNIT5N70GSDrain-Source Voltage V 700DSSVGate-Source Voltage V

Otros transistores... 4N65H , 4N65G , 4N65D , 4N65TF , 50N06B , 50N06H , 50N06D , 5N65GS , IRF840 , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 .

History: QM2413K | NCE3407E | P2806BV | HM150N03K | BRCS055N08SHBD | AP9971AGJ

 

 
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