Справочник MOSFET. 5N70GS

 

5N70GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 5N70GS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 5N70GS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5N70GS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  chongqing pingwei
 5n70gs.pdf pdf_icon

5N70GS

5N70GS5 Amps,700 Volts N-Channel Super Junction Power MOSFETFEATURETO-252 5A,700V,R =1.2@V =10V/2.5ADS(ON)MAX GS Low gate charge Low Ciss Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAbsolute Maximum Ratings(T =25,unless otherwise noted)CParameter Symbol UNIT5N70GSDrain-Source Voltage V 700DSSVGate-Source Voltage V

Другие MOSFET... 4N65H , 4N65G , 4N65D , 4N65TF , 50N06B , 50N06H , 50N06D , 5N65GS , IRF840 , 7N60GS , 7N60DS , 7N60TF , 8N06G , 8N06D , M4N65TF , FS8205 , FMD5N50E5 .

History: OSG65R900FEF | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C | RS1G120MN | CS10N60A8HD

 

 
Back to Top

 


 
.