DM5N65E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DM5N65E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220 TO262 TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DM5N65E MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DM5N65E datasheet

 ..1. Size:4695K  desay
 dm5n65e.pdf pdf_icon

DM5N65E

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Otros transistores... FMD5N50E5, FKBA3004, FKBA3006, FKBB3002, FKBB3004, FKD3006, DM4N65E, DM4N65E-F, IRF3710, DM5N65E-F, DM7N65C, DM7N65C-F, DM8N65C, DM8N65C-F, DM10N65C, DM10N65C-F, DM10N65C-2