Справочник MOSFET. DM5N65E

 

DM5N65E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DM5N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220 TO262 TO263
 

 Аналог (замена) для DM5N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DM5N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4695K  desay
 dm5n65e.pdf pdf_icon

DM5N65E

N MOS /N-Channel Power MOSFET DM5N65E RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... FMD5N50E5 , FKBA3004 , FKBA3006 , FKBB3002 , FKBB3004 , FKD3006 , DM4N65E , DM4N65E-F , IRFB4227 , DM5N65E-F , DM7N65C , DM7N65C-F , DM8N65C , DM8N65C-F , DM10N65C , DM10N65C-F , DM10N65C-2 .

History: HCS70R710ST | FDS4080N7 | STD4NK50Z-1 | MSJU11N65 | IRFP450B | APT77N60JC3 | SSW90R160SFD

 

 
Back to Top

 


 
.