EMB03N03HR Todos los transistores

 

EMB03N03HR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMB03N03HR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 381 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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EMB03N03HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  1
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EMB03N03HR

EMB03N03HRNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)3.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

 ..2. Size:217K  emc
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EMB03N03HR

EMB03N03HRNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)3.0mID75AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

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History: 2N7002ED | JCS6N70S | KHB4D0N65F2 | 2SK1023-01 | CEB05N8 | SIA915DJ | CS4N65P

 

 
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