EMB03N03HR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB03N03HR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 381 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
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EMB03N03HR datasheet
emb03n03hr.pdf
EMB03N03HR N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 3.0m ID 75A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS
emb03n03hr.pdf
EMB03N03HR N Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary D BVDSS 30V RDSON (MAX.) 3.0m ID 75A G S UIS, Rg 100% Tested Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNIT Gate Source Voltage VGS
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