EMB12N04V Todos los transistores

 

EMB12N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMB12N04V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0128 Ohm
   Paquete / Cubierta: EDFN3X3
 

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EMB12N04V Datasheet (PDF)

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EMB12N04V

EMB12N04VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS40VRDSON(MAX.)12.8mID18AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

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EMB12N04V

EMB12N04VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS40VRDSON(MAX.)12.8mID18AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

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EMB12N04V

EMB12P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)12mID21AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

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EMB12N04V

EMB12P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)12mID21AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

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History: INK0310AP1 | CEU01N7 | AP9998GS-HF | ZXMN6A11GTC | 2SK2845 | 2SJ473-01S | HPP080NE5SPA

 

 
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