EMB12N04V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB12N04V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0128 Ohm
Paquete / Cubierta: EDFN3X3
Búsqueda de reemplazo de EMB12N04V MOSFET
EMB12N04V Datasheet (PDF)
emb12n04v.pdf
EMB12N04VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS40VRDSON(MAX.)12.8mID18AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS
emb12n04v.pdf
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emb12p03v.pdf
EMB12P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)12mID21AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS
emb12p03v.pdf
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Otros transistores... DM10N65C-F , DM10N65C-2 , DM12N65C , DM12N65C-F , DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , IRF4905 , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , EMB17C03G , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J .
History: IRHM7264SE | SFB077N100AC2 | UT6898G-S08-R | STD25N10F7 | AUIRLS3036 | RUS100N02
History: IRHM7264SE | SFB077N100AC2 | UT6898G-S08-R | STD25N10F7 | AUIRLS3036 | RUS100N02
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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