EMB17C03G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EMB17C03G
   Código: B17C03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMB17C03G

EMB17C03G Datasheet (PDF)

..1. Size:215K emc
emb17c03g.pdf

EMB17C03GN&PChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:NCHPCHBVDSS30V30VRDSON(MAX.)17m20mID10A8AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUN

9.1. Size:64K nxp
pemb17 pumb17.pdf

PEMB17; PUMB17PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 22 kRev. 03 1 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP resistor-equipped transistorsTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB17 SOT666 - PEMD17 PEMH17PUMB17 SOT363 SC-88 PUMD17 PUMH171.2 Features B

9.2. Size:191K emc
emb17a03g.pdf

EMB17A03GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS30VRDSON(MAX.)17mID10AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20V

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Liste

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