EMB17C03G Todos los transistores

 

EMB17C03G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: EMB17C03G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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EMB17C03G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  emc
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EMB17C03G

EMB17C03GN&PChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:NCHPCHBVDSS30V30VRDSON(MAX.)17m20mID10A8AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUN

 9.1. Size:64K  nxp
 pemb17 pumb17.pdf pdf_icon

EMB17C03G

PEMB17; PUMB17PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 22 kRev. 03 1 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP resistor-equipped transistorsTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB17 SOT666 - PEMD17 PEMH17PUMB17 SOT363 SC-88 PUMD17 PUMH171.2 Features B

 9.2. Size:191K  emc
 emb17a03g.pdf pdf_icon

EMB17C03G

EMB17A03GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS30VRDSON(MAX.)17mID10AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20V

Otros transistores... DM12N65C-2 , EMB03N03HR , EMB09N03V , EMB09P03V , EMB12N04V , EMB12P03G , EMB12P03V , EMB17A03G , 4435 , EMB20N03V , EMB20P03G , EMB22A04G , EMBA5P06J , EMF02P02H , EMF03N02HR , EMF20A02G , EMF20B02V .

 

 
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