EMB17C03G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB17C03G
Código: B17C03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 111 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET EMB17C03G
EMB17C03G Datasheet (PDF)
emb17c03g.pdf
EMB17C03GN&PChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:NCHPCHBVDSS30V30VRDSON(MAX.)17m20mID10A8AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUN
pemb17 pumb17.pdf
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emb17a03g.pdf
EMB17A03GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS30VRDSON(MAX.)17mID10AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20V
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