EMB17C03G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EMB17C03G
Маркировка: B17C03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 16 ns
Выходная емкость (Cd): 111 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: SOP8
EMB17C03G Datasheet (PDF)
emb17c03g.pdf
EMB17C03GN&PChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:NCHPCHBVDSS30V30VRDSON(MAX.)17m20mID10A8AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUN
pemb17 pumb17.pdf
PEMB17; PUMB17PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 22 kRev. 03 1 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP resistor-equipped transistorsTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB17 SOT666 - PEMD17 PEMH17PUMB17 SOT363 SC-88 PUMD17 PUMH171.2 Features B
emb17a03g.pdf
EMB17A03GDualNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:BVDSS30VRDSON(MAX.)17mID10AUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TA=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP450 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
