SSF70N10A Todos los transistores

 

SSF70N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF70N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSF70N10A Datasheet (PDF)

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SSF70N10A

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SSF70N10A

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 9.2. Size:950K  cn super semi
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SSF70N10A

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power MOSFET Gen- SSF70R450S Rev. 1.0 Dec. 2018 www.supersemi.com.cn SSF70R450S 700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced

 9.3. Size:1011K  cn super semi
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SSF70N10A

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R650S2Rev. 1.2May. 2022www.supersemi.com.cnSSF70R650S2/SSP70R650S2/SST70R650S2700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizin

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History: HY3312P | AP4501GM-HF | FDS6892A | RQ5L015SP | NTLJS4159NT1G | AP6679BMT | WFW40N25W

 

 
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