AP9977GM-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP9977GM-HF
   Código: 9977GM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6 nC
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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AP9977GM-HF Datasheet (PDF)

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AP9977GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60VD2 Single Drive Requirement RDS(ON) 100mD2D1 Surface Mount Package ID 3.3AD1G2S2G1S1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

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