AP9977GM-HF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9977GM-HF
Маркировка: 9977GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP9977GM-HF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9977GM-HF даташит
ap9977gm-hf.pdf
AP9977GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m D1 Surface Mount Package ID 3.3A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9977 series are from Advanced Power innovated design and D2 D1 silicon process tech
ap9977gm.pdf
AP9977GM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 100m D2 D1 Surface Mount Package ID 3.3A D1 G2 S2 G1 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des
ap9977gjv.pdf
AP9977GJV Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 100m Fast Switching Performance ID 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9977 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible
ap9977gh-hf ap9977gj-hf.pdf
AP9977GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Single Drive Requirement RDS(ON) 100m Surface Mount Package ID 11A G RoHS Compliant S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D S TO-252(H) designer with the best combination of fast switching, ruggedized d
Другие MOSFET... AP2307GN , AP2311GN , AP4034GYT-HF-3 , AP4410M , AP4435GM , AP72T03GH-HF , AP9579GP , AP9963GP , TK10A60D , AP9985GM-HF , AP9T18GH-HF , FBM75N68P , FBM75N68B , MTA50P01SN3 , MTB028N10QNCQ8 , MTB030N10RQ8 , MTB095N10KRL3 .
History: VB1695
History: VB1695
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor




