MTEF1P15AV8 Todos los transistores

 

MTEF1P15AV8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTEF1P15AV8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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MTEF1P15AV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  1
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MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 ..2. Size:690K  cystek
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MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.1. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

 6.2. Size:633K  cystek
 mtef1p15q8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896Q8 Issued Date : 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m(typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

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History: IRFS7734 | PSMN3R7-100BSE | NTD32N06LG | AS0130KA | SQD90P04-9M4L | DMN3016LFDE

 

 
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