Справочник MOSFET. MTEF1P15AV8

 

MTEF1P15AV8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTEF1P15AV8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для MTEF1P15AV8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEF1P15AV8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 ..2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.1. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

 6.2. Size:633K  cystek
 mtef1p15q8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. : C896Q8 Issued Date : 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m(typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , IRF730 , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 .

History: SWD088R06VT | RU30290R | STB160NF3LLT4 | UT4812 | TPC6005 | FDD6296 | AOD407

 

 
Back to Top

 


 
.