MTEF1P15AV8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTEF1P15AV8
Маркировка: EF1P15A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC
Время нарастания (tr): 16.6 ns
Выходная емкость (Cd): 29 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.68 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для MTEF1P15AV8
MTEF1P15AV8 Datasheet (PDF)
mtef1p15av8.pdf
Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb
mtef1p15av8.pdf
Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.07.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb
mtef1p15v8.pdf
Spec. No. : C896V8 Issued Date : 2014.05.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7@ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a
mtef1p15q8.pdf
Spec. No. : C896Q8 Issued Date : 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m(typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m(typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb
mtef1p15l3.pdf
Spec. No. : C896L3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15L3 BVDSS -150VID -1.4A0.64 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1.4A 0.7 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi
mtef1p15n6.pdf
Spec. No. : C896N6 Issued Date : 2013.02.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.11 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTEF1P15N6 Description The MTEF1P15N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 p
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
