MTEF1P15AV8 - описание и поиск аналогов

 

MTEF1P15AV8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEF1P15AV8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTEF1P15AV8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEF1P15AV8 даташит

 ..1. Size:690K  1
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 ..2. Size:690K  cystek
 mtef1p15av8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2015.12.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.07.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15AV8 -5.4A @ VGS=-10V, TC=25 C ID 0.52 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.56 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

 6.1. Size:374K  cystek
 mtef1p15v8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. C896V8 Issued Date 2014.05.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15V8 ID -4A @ VGS=-10V, TC=25 C 0.64 @ VGS=-10V, ID=-1.4A RDSON(Typ) 0.7 @ VGS=-6V, ID=-1A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating a

 6.2. Size:633K  cystek
 mtef1p15q8.pdf pdf_icon

MTEF1P15AV8

Spec. No. C896Q8 Issued Date 2013.07.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTEF1P15Q8 ID@TA=25 C, VGS=-10V -1.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.6A 650m (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-1A 700m (typ) Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTC3587DL8 , MTC3588BDFA6 , MTC3588N6 , MTC6601N6 , MTE030N15RQ8 , MTE050N15BRH8 , MTE050N15BRV8 , MTE65N20H8 , IRFB31N20D , MTNK6N3 , MTP4435AQ8 , C2M065W030 , C2M065W060 , C2M065W200 , C2M090BG070 , C2M090W035 , C2M090W070 .

History: MTE050N15BRV8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.