C2M065W030 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M065W030
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Encapsulados: TO-247
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C2M065W030 datasheet
c2m065w030.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W030 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl
c2m065w060.pdf
nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W060 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl
c2m065w200.pdf
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