C2M065W060 Todos los transistores

 

C2M065W060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M065W060
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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C2M065W060 Datasheet (PDF)

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C2M065W060

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.C2M065W060650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W060

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.C2M065W030650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W060

nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.C2M065W200650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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History: KHB7D5N60P1 | IRFBC30P | GSM4422 | SWN6N70DA | SM1A25NSV | STFU16N65M2 | SFT016N80C3

 

 
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