C2M065W060 Todos los transistores

 

C2M065W060 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C2M065W060

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 142 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 147 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: TO-247

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C2M065W060 datasheet

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C2M065W060

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W060 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W060

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W030 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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C2M065W060

nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. C2M065W200 650V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Suppl

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History: SWP11N65D | SML4080CN | SE3080A | MMBF170LT1G

 

 

 

 

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