C2M120W040 Todos los transistores

 

C2M120W040 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M120W040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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C2M120W040 datasheet

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C2M120W040

nvert C2M120W040 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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C2M120W040

nvert C2M120W080 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 1200V N-Channel MOSFET APPLICATIONS FEATURES Switch Mode Power Supply (SMPS) Low On-Resistance Power Factor Correction (PFC) Low Capacitance Uninterruptible Power Supply (UPS) Avalanche Ruggedness EV Charging station & Motor Drives Halogen Free, RoHS Compliant Solar/ Wind Renewable Energy

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C2M120W040

nvert C2M120W280 Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET FEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS Compliant BENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency Operation APPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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History: AO4832 | UPA1830GR

 

 
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