C2M120W040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C2M120W040
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 338 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 174 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET C2M120W040
C2M120W040 Datasheet (PDF)
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