C2M120W040 Todos los transistores

 

C2M120W040 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M120W040
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 338 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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C2M120W040 Datasheet (PDF)

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C2M120W040

nvertC2M120W040Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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C2M120W040

nvertC2M120W080Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel MOSFETAPPLICATIONSFEATURES Switch Mode Power Supply (SMPS) Low On-Resistance Power Factor Correction (PFC) Low Capacitance Uninterruptible Power Supply (UPS) Avalanche Ruggedness EV Charging station & Motor Drives Halogen Free, RoHS Compliant Solar/ Wind Renewable Energy

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C2M120W040

nvertC2M120W280Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFETFEATURES Low On-Resistance Low Capacitance Avalanche Ruggedness Halogen Free, RoHS CompliantBENEFITS Higher System Efficiency Parallel Device Convenience High Temperature Application High Frequency OperationAPPLICATIONS Switch Mode Power Supp

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History: SW3N90U | APT20M20JLL | SL12N10 | MTM98140 | WMK043N10HGS | IXFA10N60P | IPL60R185P7

 

 
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