2N6760JANTX MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2N6760JANTX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6760JANTX

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO3

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2N6760JANTX datasheet

8.1. Size:146K international rectifier
2n6760 irf330.pdf pdf_icon

PD - 90335F IRF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6760 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF330 400V 1.00 5.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

8.2. Size:138K fairchild semi
2n6759 2n6760.pdf pdf_icon