2N6760JANTX - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

2N6760JANTX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6760JANTX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для 2N6760JANTX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

2N6760JANTX даташит

8.1. Size:146K international rectifier
2n6760 irf330.pdf pdf_icon

PD - 90335F IRF330 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6760 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/542] 400V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF330 400V 1.00 5.5A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique proces

8.2. Size:138K fairchild semi
2n6759 2n6760.pdf pdf_icon