Справочник MOSFET. 2N6760JANTX

 

2N6760JANTX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6760JANTX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для 2N6760JANTX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6760JANTX Datasheet (PDF)

 8.1. Size:146K  international rectifier
 2n6760 irf330.pdf pdf_icon

2N6760JANTX

PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces

 8.2. Size:138K  fairchild semi
 2n6759 2n6760.pdf pdf_icon

2N6760JANTX

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6760JANTX

 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6760JANTX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6758JAN , 2N6758JANTX , 2N6758JANTXV , 2N6758JTX , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6760 , 2N6760JAN , AO4407 , 2N6760JANTXV , 2N6760JTX , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , 2N6762JAN , 2N6762JANTX , 2N6762JANTXV .

History: FDS6900AS

 

 
Back to Top

 


 
.