SSF9N80A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF9N80A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 95 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO3PF
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SSF9N80A datasheet
ssf9n80a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value
ssf9n90a.pdf
Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 0.938 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value
Otros transistores... SSF6N90A , SSF70N10A , SSF7N60A , SSF7N80A , SSF7N90A , SSF80N06A , SSF8N80A , SSF8N90A , IRF740 , SSF9N90A , SSH10N60A , SSH10N70 , SSH10N70A , SSH10N80A , SSH10N90A , SSH15N55 , SSH15N55A .
History: CHM2313QGP
History: CHM2313QGP
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Liste
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