CS18N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS18N50F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.34 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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CS18N50F datasheet
cs18n50f cs18n50p cs18n50v cs18n50w.pdf
CS18N50F,CS18N50P, nvert Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. CS18N50V,CS18N50W 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS18N50F
cs18n50f cs18n50p cs18n50v.pdf
nvert CS18N50F,CS18N50P,CS18N50V Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd. 500V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking CS18N50F TO-220F CS1
jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf
N N- CHANNEL MOSFET R JCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max @Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss @Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS
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