CS18N50F - аналоги и даташиты транзистора

 

CS18N50F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CS18N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для CS18N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS18N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  convert
 cs18n50f cs18n50p cs18n50v cs18n50w.pdf pdf_icon

CS18N50F

CS18N50F,CS18N50P,nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS18N50V,CS18N50W500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N50F

 ..2. Size:872K  convert
 cs18n50f cs18n50p cs18n50v.pdf pdf_icon

CS18N50F

nvertCS18N50F,CS18N50P,CS18N50VSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS18N50F TO-220F CS1

 0.1. Size:1873K  jilin sino
 jcs18n50be jcs18n50se jcs18n50ce jcs18n50fe.pdf pdf_icon

CS18N50F

N N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 48.7nC Eoss@Vdss=400V 5.84mJ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS

 7.1. Size:948K  jilin sino
 jcs18n50wh.pdf pdf_icon

CS18N50F

N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS18N50WH ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 19 A VDSS 500 V Rdson-max@Vgs=10V 0.27 Qg-typ 50nC APPLICATIONS (u l High efficiency swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CS16N60F , CS16N60P , CS16N65F , CS16N65P , CS16N65W , CS18N20BF , CS18N20BP , CS18N20BB , 2N7000 , CS18N50P , CS18N50V , CS18N50W , CS18N70F , CS18N70V , CS1N70SU , CS1N70SF , CS20N60F .

History: UT2327 | IXTP32N65XM | FMP16N50E | AOI518 | WFW18N50 | DMP1200UFR4 | SSF60R130S2

 

 
Back to Top

 


 
.