CS2N50DF Todos los transistores

 

CS2N50DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CS2N50DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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CS2N50DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  convert
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CS2N50DF

CS2N50DF, CS2N50DP, nvertSuzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.CS2N50DD,CS2N50DU500V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingCS2N50D

 8.1. Size:357K  wuxi china
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CS2N50DF

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS2N50 A4 General Description VDSS 500 V CS2N50 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 30 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power s

Otros transistores... CS20N65P , CS20N65V , CS20N65W , CS2N100F , CS2N100P , CS2N100U , CS2N100D , CS2N100LF , AO4407 , CS2N50DP , CS2N50DD , CS2N50DU , CS2N60P , CS2N60U , CS2N60C , CS2N65F , CS2N65D .

History: PJP6NA70 | AP18N20GH-HF | AONS38108 | 2SK3136 | IRF2804S-7P | MCP87018 | IXTA240N055T7

 

 
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